半导体制造全流程2
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发布时间：2024-10-24 00:15
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时间：2024-10-30 02:43
半导体产品制造需经过数百个工艺，分为八步骤：晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试和封装。其中，刻蚀工艺是第四步，目标是通过使用液体、气体或等离子体去除晶圆上多余的氧化膜，仅保留半导体电路图。刻蚀方法分为湿法和干法。湿法刻蚀利用化学溶液快速高效地去除氧化膜，但存在无法精准处理精细电路图的问题。干法刻蚀则分为化学刻蚀、物理溅射和反应离子刻蚀，通过等离子体和离子撞击去除多余氧化层，实现精细度更高的刻蚀。现今，干法刻蚀广泛用于提高精细半导体电路的良率。薄膜沉积则是第五步，通过沉积一层层薄金属和介电膜，构建芯片内部的微型器件。沉积技术包括化学气相沉积、原子层沉积和物理气相沉积，分别通过化学反应、原子层逐层沉积和物理手段形成薄膜。这些技术在半导体封装测试、LED、CMOS、光纤通讯、LCD、智能卡、电池等领域有着广泛的应用。上海本诺电子材料有限公司作为一家专注于胶粘剂方案研发、生产的高新企业，提供批量应用服务。
