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专利名称：一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法专利类型：发明专利
发明人：赵毅,郑泽杰,张睿,玉虓申请号：CN201610612933.5申请日：20160729公开号：CN106252219A公开日：20161221
摘要：本发明公开了一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法，该方法首先分别在硅衬底和所需的半导体材料的表面生长绝缘层，对生长过绝缘层的两个衬底进行键合；其次通过光刻和刻蚀工艺在半导体材料层刻蚀出孔洞，直至绝缘层，并在刻蚀好的孔洞中填充高硬度物质充当阻挡层；最后对半导体材料层进行研磨，直到研磨到阻挡层，得到高平整度绝缘层上半导体结构。本发明将阻挡层注入需要研磨的半导体表面，阻挡层会阻止研磨机对低于阻挡层的半导体材料的研磨，对研磨过程中SOI材料的厚度有一定的控制作用，从而得到高平整的SOI材料，有效解决了传统SOI研磨工艺中表面倾斜和不平整的问题。
申请人：浙江大学
地址：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
国籍：CN
代理机构：杭州求是专利事务所有限公司
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