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专利名称：一种流化床干燥硅片切割废料的方法专利类型：发明专利
发明人：魏奎先,杨时聪,马文会申请号：CN202010729525.4申请日：20200727公开号：CN111829293A公开日：20201027
摘要：本发明涉及一种流化床干燥硅片切割废料的方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。本发明针对硅片切割废料压滤后的滤饼水分含量高，采用常规的蒸汽干燥、微波干燥等方式，不仅干燥效率低、水分去除不彻底，还会造成硅片切割废料二次氧化和降低硅的回收率等问题，提出硅片切割废料的流化床干燥处理。在硅片切割废料进行高温处理再生利用前预先进行流化床干燥，使得残留在硅片切割废料滤饼中的水分得以高效快速的去除，同时抑制干燥过程中的硅颗粒氧化。通过流化床干燥降低原料中的水分含量，提燥的效率，从而提高硅片切割废料在后续过程中的利用效率，进一步提高硅的回收率。干燥后的硅片切割料可直接熔炼回收硅，或与硅原料合并精炼。
申请人：昆明理工大学
地址：650093 云南省昆明市五华区学府路253号
国籍：CN
代理机构：天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：朱维
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