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专利名称：一种金属离子源专利类型：发明专利
发明人：赵玉清,沈伯礼,赵鑫,朱克志,李冬梅申请号：CN200410026305.6申请日：20040706公开号：CN15949A公开日：20050316
摘要：本发明涉及一种金属离子源，能够提高高密度金属元素离子的金属离子源。本发明在装置的阴极上增加辅助阴极，辅助阴极突出在阳极区内，并与阳极构成一个放电室，在辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁，磁铁置在环形磁铁内，两磁铁连接在阴极上。辅助阴极采用需要的金属元素材料制成，当需要某种金属元素时，安装上用该材料制备的辅助阴极和磁铁，构成磁控溅射源，该辅助阴极即增大了金属元素的溅射产额，保护了原有阴极不被损坏，延长离子源的使用寿命，使用非常方便。当需要采用气体离子时，将辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁去掉即可。利用该源既可获取气体元素离子又可获取不同高密度金属元素离子，可以利用一个离子源满足多种元素离子的注入需要。
申请人：西安交通大学
地址：710049 陕西省西安市咸宁路28号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：陈翠兰
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