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专利名称：存储器装置及其制造方法和操作方法专利类型：发明专利发明人：吕函庭
申请号：CN201410798324.4申请日：20141219公开号：CN105097818A公开日：20151125
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其制造方法和操作方法，该存储器装置具有双重栅极存储单元，每一存储单元储存多重位且包括配置为字线的导电线多层叠层。有源支柱是设置于一对第一与第二叠层之间，每一有源支柱包括一垂直通道结构、一电荷储存层与一绝缘层。绝缘层位于一有源支柱的平截头体中，并接触第一叠层的一层中的第一导电条的一第一拱型边缘与第二叠层的相同层中的第二导电条的一第二拱型边缘。多个绝缘柱与有源支柱将字线叠层分为偶数与奇数线，且绝缘柱接触于每一有源支柱的相反的偶数侧与奇数侧。有源支柱可为椭圆形，具有一长轴平行于第一与第二导电条。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区力行路16号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
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