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专利名称：沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法专利类型：发明专利
发明人：刘国友,朱利恒,黄建伟,谭灿健,罗海辉,杨鑫著申请号：CN201510960998.4申请日：20151221公开号：CN1068549A公开日：20170627
摘要：本发明提供一种沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法，其中，沟槽栅IGBT包括：衬底及位于衬底中的沟槽，沟槽上端露出衬底上表面，沟槽露出衬底上表面的部分被覆盖在衬底上表面的第一覆盖层覆盖，在相邻两个沟槽之间的衬底上设置有发射极区，发射极区及第一覆盖层均被第二覆盖层覆盖，沟槽未露出衬底的部分填满填充物，其中，第一覆盖层用于将第二覆盖层与填充物隔离。本发明可在不减小发射极金属与发射极区接触面积的前提下，通过减小沟槽间距以改善沟槽栅IGBT导通特性。
申请人：株洲南车时代电气股份有限公司
地址：412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
国籍：CN
代理机构：北京聿宏知识产权代理有限公司
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