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专利名称：二硫化钨增敏的表面等离子体共振传感器及其制备
方法
专利类型：发明专利
发明人：罗云瀚,夏凯,王浩,黄文娟,陈哲,张军,董江莉,余健辉,
卢惠辉,关贺元,唐洁媛
申请号：CN201710517790.4申请日：20170629公开号：CN107356561A公开日：20171117
摘要：本发明公开了二硫化钨增敏的表面等离子体共振传感器及其制备方法，在表面等离子体共振传感芯片上沉积有二硫化钨纳米片膜层，所述表面等离体子体共振传感芯片是通过真空蒸镀法将金膜或银膜镀在侧边抛磨光纤抛磨面或棱镜表面制作而成。所述侧边抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成。本发明制备方法简单、易操作，制得的传感器兼容性高、响应灵敏、线性好、重复性高。
申请人：暨南大学
地址：510630 广东省广州市天河区石牌黄埔大道西601号
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司
代理人：任重
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