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专利名称：高电子迁移率晶体管装置及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：谢祁峰,王端玮,孙健仁申请号：CN201811312055.0申请日：20181106公开号：CN111146269A公开日：20200512
摘要：一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，高电子迁移率晶体管装置包含衬底；超晶格缓冲层设置于衬底上方，其中超晶格缓冲层包含多组交替层，每组交替层包含交错排列的至少一AlN层和至少一AlGaN层，其中0≤x<1；渐变式缓冲层设置于衬底上方，其中渐变式缓冲层包含多个AlGaN层，其中0≤y<1；以及通道层设置于渐变式缓冲层上方。本发明能够在提高产能的同时，改善高电子迁移率晶体管装置的效能和良率。
申请人：世界先进积体电路股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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