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专利名称：保护膜形成方法以及保护膜形成装置专利类型：发明专利
发明人：上谷一夫,沟上要,大江良尚,盐川晃,加道博行申请号：CN200680001502.X申请日：20060911公开号：CN101090991A公开日：20071219
摘要：本发明提供一种在蒸镀室(201)内在前面玻璃基板(11)上形成氧化镁保护膜的保护膜形成装置，其包括：向蒸镀室(201)导入氧气的氧气排出口(222)；从前面玻璃基板(11)输送方向的下游向蒸镀室(201)导入水蒸气的水蒸气排出口(210)；测定蒸镀室(201)内的氢离子强度与氧离子强度的质量分析器(224)；以及，根据质量分析器(224)测定到的离子强度而控制水蒸气的导入流量的质量流量控制器(215)和控制氧气的导入流量的质量流量控制器(221)。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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