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专利名称：保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复
合片及加工物的制造方法
专利类型：发明专利发明人：山本大辅,米山裕之申请号：CN202010572379.9申请日：20150121公开号：CN111785673A公开日：20201016
摘要：本发明涉及具备保护膜形成膜(1)、以及叠层于该保护膜形成膜(1)的一面或两面的剥离片(21)的保护膜形成用片(2)，所述保护膜形成膜(1)在波长10nm的透光率为55％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可以利用激光预先对半导体晶片等工件设置改质层，并通过施加力进行分割，并且不会通过肉眼观察到存在于工件或加工物上的磨痕的保护膜。
申请人：琳得科株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：王利波
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