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专利名称：一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电
路
专利类型：实用新型专利
发明人：谭国俊,张经纬,耿程飞,何凤有申请号：CN201921850461.2申请日：20191030公开号：CN211930609U公开日：20201113
摘要：本发明提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，包括：逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、V检测单元以及V检测单元，本发明采用降低栅极电压V的方法抑制短路电流，从而降低短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时，漏极电压V将不会下降至导通压降，本发明通过判断漏极电压V是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，使栅极电压V钳位在较低的驱动电压等级；当SiC MOSFET发生二类短路时，栅极电压V将会发生突变，形成电压尖峰，本发明通过判断导通状态时栅极电压V是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压，可在短路时将栅极电压V钳位在较低的驱动电压等级。
申请人：徐州中矿大传动与自动化有限公司
地址：221116 江苏省徐州市高新区第二工业园珠江路7号
国籍：CN
代理机构：南京众联专利代理有限公司
代理人：杜静静
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