ADS的layout中FEM仿真

Layout元件的创建与仿真的步骤：

第一步：把输出匹配电路拷贝到了一个新的原理图中，如layout_input_MRF8S21120，删除匹配电容、S1P、S2P文件，并添加Port端口，如图所2.10所示；

第二步：从原理图自动生成Layout文件，方法与结果如图2.11所示。强烈推荐在重要的调试点加入了端口，方便我们之后的调试。添加方法：复制，粘贴，移动现有的匹配电容端口即可；端口需要同时带上0.01mmx1.5mm微带，这么小的微带对匹配电路性能产生的影响微乎其微，但是这个小微带可以让ADS程序判定端口的宽度为1.5mm（约一个0805电容的宽度），否则ADS会认为端口所连的匹配节的长度为端口宽度，明显这是不适宜的。

从原理图生辰Layout文件，并增加了两个端口

第三步：从原理图中导入板材参数，过程如图2.13所示，导入后还可以板材参数，验证是否导入成功。

第四步：设置Port属性，过程如图2.14所示，依次设置每一个端口。功放设计中常用到了有两种端口模式：Single Mode 与internal；其中Single Mode是程序默认模式，也是我们的首选模式。当端口向后延伸半个工作波长的区域内有微带线时，Single Mode不能使用，这时就必须使用internal模式，这种情况经常出现在偏置电路一侧的匹配电容端口。图2.11中可以看出，3个匹配电容端口都设置在没有偏置的一侧，就是为了避免使用internal模式，也是这个原因。

第五步：划分网格，方法如图2.15所示。Monmentum仿真器先将微带拓扑划分成若干个网格，以网格为单位进行计算，网格越多，仿真结果越精确，代价是仿真时间会大幅增加。我们的匹配拓扑比较简单规则，一般取默认网格密度即可，要求较精确时可以增加一倍的密度即可，再高的网格密度对仿真结果改善微小但仿真时间会剧增。

第六步：设置S参数及仿真，方法如图2.16所示。工作频段内的频率步进较小，设为1MHz上下为宜；全频段的频率步进则可以设置的大些，为100MHz左右。很重要的是，全频段扫频率一定要包括0Hz这个点，否则直流信号不能在匹配拓扑中传输，也就是栅压和漏压无法加入。点击“Simulate”仿真开始，跳出一个窗口显示仿真进度，整个过称约为0.5小时~2小时。

第七步：Layout元件生成及调用。仿真结束后即可生成layout元件，方法如图2.17所示，后续还会跳出两个对话框，都直接确定即可。

生成的元件名和对应的原理图名和layout文件名都一致，此处为“layout_input_MRF8S21120”,可以在元件库中查找，过程如图2.18所示。

至此，layout元件已经制作完成，可以进行下一步的仿真了。