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专利名称：一种表面等离激元制备装置专利类型：实用新型专利
发明人：况亚伟,刘玉申,薛春荣,马玉龙,杨希峰,冯金福申请号：CN201520597402.4申请日：20150810公开号：CN204834659U公开日：20151202
摘要：本实用新型公开了一种表面等离激元制备装置，包括真空腔室、电子、坩埚和基板，所述坩埚设置在真空腔室下部，所述电子设置在坩埚下方，所述真空腔室顶部设有基板支架，所述表面等离激元制备装置还包括基板转速控制装置和倾角装置，所述基板支架设有用于驱动基板转动的转轴，所述基板与转轴下端铰接，所述基板转速控制装置控制基板转速，所述倾角装置控制基板倾斜角度。该装置可以方便表面等离激元制备工艺的，实现对表面等离激元的平均直径控制在2nm～200nm，分布密度控制在500个/cm～500000个/cm。
申请人：常熟理工学院
地址：215500 江苏省苏州市常熟市南三环路99号
国籍：CN
代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人：张俊范
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