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一种铜锌锡硫薄膜太阳电池[发明专利]

来源:保捱科技网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种铜锌锡硫薄膜太阳电池专利类型:发明专利

发明人:郭杰,刘斌,郝瑞亭,刘欣星,王璐,顾康,王飞翔,李勇,吴

申请号:CN201811301706.6申请日:20181102公开号:CN109560159A公开日:20190402

摘要:本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳电池,包括依次连接的玻璃衬底、背电极、吸收层、第二中间层、缓冲层、透明导电窗口层和上电极,其中,所述背电极为Mo薄膜,厚度为1μm;所述吸收层为磁控溅射沉积的铜锌锡硫薄膜,厚度为900‑1500nm;所述第二中间层为ZnS薄膜,厚度为10nm;所述缓冲层为CdS薄膜,厚度为30~50nm;所述透明导电窗口层为依次沉积的50~80nm的i‑ZnO薄膜和500~600nm的ZnO:Al薄膜;所述上电极为蒸发镀银电极。本发明从设计上引入两个中间层,增大了铜锌锡硫晶粒尺寸,减小了二硫化钼高阻层厚度,减少了铜锌锡硫因Mo扩散造成的分解,减少了铜锌锡硫电池中最主要的两处界面复合和界面缺陷,减小了表面暗电流,延长了少子寿命,提高了少数载流子的收集效率。

申请人:云南师范大学

地址:650500 云南省昆明市呈贡区雨花片区1号

国籍:CN

代理机构:南京苏创专利代理事务所(普通合伙)

代理人:王华

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