半导体专业英语词汇样稿

半导体专业词汇
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接收电子
3.ACCESS：一个EDA（EngineeringData Analysis）系统
4.Acid：酸
5.Active device：有源器件，如MOSFET（非线性，能够对信号放大）
6.Align mark(key)：对位标识
7.Alloy：合金
8.Aluminum：铝
9.Ammonia：氨水
10.Ammonium fluoride：NH4F
11.Ammonium hydroxide：NH4OH
12.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13.Analog：模拟
14.Angstrom：A（1E-10m）埃
15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）
16.AQL(Acceptance QualityLevel)：接收质量标准，在一定采样下，能够95%置信度经过质量标准（不一样于可靠性，可靠性要求一定时间后失效率）
17.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层光刻）
18.Antimony(Sb)锑
19.Argon(Ar)氩
20.Arsenic(As)砷
21.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22.Arsine(AsH3)
23.Asher：去胶机

24.Aspect ration：形貌比（ETCH中深度、宽度比）
25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB浓度高，造成有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
27.Baseline：标准步骤
28.Benchmark：基准
29.Bipolar：双极
30.Boat：扩散用（石英）舟
31.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，比如POLYCD 为多晶条宽。

32.Character window：特征窗口。用文字或数字描述包含工艺全部特征一个方形区域。33.Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一个去掉圆片表面某种物质方法。34.Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一个经过化学反应生成一层薄膜工艺。

35.Chip：碎片或芯片。

36.CIM：computer-integratedmanufacturing缩写。用计算机控制和监控制造工艺一个综合方法。

37.Circuit design ：电路设计。一个将多种元器件连接起来实现一定功效技术。

38.Cleanroom：一个在温度，湿度和洁净度方面全部需要满足一些特殊要求特定区域。39.Compensation doping：赔偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。40.CMOS：complementarymetal oxide semiconductor缩写。一个将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造工艺。

41.Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。

42.Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。

43.Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅孔。

44.Control chart：控制图。一个用统计数据描述能够代表工艺某种性质曲线图表。

45.Correlation：相关性。

46.Cp：工艺能力，详见processcapability。

47.Cpk：工艺能力指数，详见processcapability index。

48.Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要时间。通常见来衡量流通速度快慢。49.Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺点在表面处理后形成无法修复变形也能够

叫做损伤。

50.Defect density：缺点密度。单位面积内缺点数。

51.Depletion implant：耗尽注入。一个在沟道中注入离子形成耗尽晶体管注入工艺。（耗尽

晶体管指在栅压为零情况下有电流流过晶体管。）
52.Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主固定电荷密度区域。53.Depletion width：耗尽宽度。53中提到耗尽层这个区域宽度。

54.Deposition：淀积。一个在圆片上淀积一定厚度且不和下面层次发生化学反应薄膜一个方

法。

55.Depth of focus（DOF）：焦深。

56.design of experiments(DOE)：为了达成费用最小化、降低试验错误、和确保数据结果统计合理性等目标，所设计初始工程批试验计划。

57.develop：显影（经过化学处理除去曝光区域光刻胶，形成所需图形过程）
58.developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
59.diborane (B2H6)：乙硼烷，一个无色、易挥发、有毒可燃气体，常见来作为半导体生产中硼源
60.dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一个无色，不可燃，不可爆液体。

61.dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一个可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解物

质，常见于硅外延或多晶硅成长，和用在沉积二氧化硅、氮化硅时化学气氛中。

62.die：硅片中一个很小单位，包含了设计完整单个芯片和芯片邻近水平和垂直方向上部分

划片槽区域。

63.dielectric：Ⅰ）介质，一个绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装表面材料，能够提供电

绝缘功效。

.diffused layer：扩散层，即杂质离子经过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面区域形成

和衬底材料反型杂质离子层。

65.disilane (Si2H6)：乙硅烷，一个无色、无腐蚀性、极易燃气体，燃烧时能产生高火焰，

暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常见于沉积多晶硅薄膜。

66.drive-in：推阱，指利用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。

67.dry etch：干刻，指采取反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域混合了物

理腐蚀及化学腐蚀工艺过程。

68.effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在要求范围内硅锭前端深度。

69.EM：electromigration，电子迁移，指由经过铝条电流造成电子沿铝条连线进行自扩散过

程。

70.epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向基质衬底上生长一层单晶半导体

材料，这一单晶半导体层即为外延层。

71.equipment downtime：设备状态异常和不能完成预定功效时间。72.etch：腐蚀，利用物理或化学方法有选择去除不需区域。

73.exposure：曝光，使感光材料感光或受其它辐射材料照射过程。

74.fab：常指半导体生产制造工厂。

75.feature size：特征尺寸，指单个图形最小物理尺寸。

76.field-effecttransistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏多子流驱动而工作，多子流由栅下横向电场控制。

77.film：薄膜，圆片上一层或多层迭加物质。

78.flat：平边
79.flatband capacitanse：平带电容
80.flatband voltage：平带电压
81.flow coefficicent：流动系数
82.flow velocity：流速计
83.flow volume：流量计
84.flux：单位时间内流过给定面积颗粒数
85.forbidden energy gap：禁带
86.four-point probe：四点探针台
87.functional area：功效区
88.gate oxide：栅氧
.glass transition temperature：玻璃态转换温度
90.gowning：净化服
91.gray area：灰区
92.grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
93.hard bake：后烘
94.heteroepitaxy：单晶长在不一样材料衬底上外延方法
95.high-current implanter：束电流大于3ma注入方法，用于批量生产
96.hign-efficiency particulate air(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%大于0.3um颗粒
97.host：主机
98.hot carriers：热载流子
99.hydrophilic：亲水性
100.hydrophobic：疏水性
101.impurity：杂质

102.inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
103.inert gas：惰性气体
104.initial oxide：一氧
105.insulator：绝缘
106.isolated line：隔离线
107.implant : 注入
108.impurity n : 掺杂
109.junction : 结
110.junction spiking n :铝穿刺
111.kerf :划片槽
112.landing pad n :PAD
113.lithography n 制版
114.maintainability, equipment : 设备产能
115.maintenance n :保养
116.majority carrier n :多数载流子
117.masks, device series of n : 一成套光刻版
118.material n :原料
119.matrix n 1 :矩阵
120.mean n : 平均值
121.measured leak rate n :测得漏率
122.median n :中间值
123.memory n : 记忆体
124.metal n :金属
125.nanometer (nm) n ：纳米
126.nanosecond (ns) n ：纳秒

127.nitride etch n ：氮化物刻蚀
128.nitrogen (N2 ) n：氮气，一个双原子气体
129.n-type adj ：n型
130.ohms per square n：欧姆每平方:方块电阻
131.orientation n：晶向，一组晶列所指方向
132.overlap n ：交迭区
133.oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气和硅进行化学反应
134.phosphorus (P) n ：磷，一个有毒非金属元素
135.photomask n ：光刻版，用于光刻版
136.photomask, negative n：反刻
137.images：去掉图形区域版
138.photomask, positive n：正刻
139.pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格片子
140.plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积电离气体
141.plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)n：等离子体化学气相淀积，低温条件下等离子淀积工艺
142.plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS一个工艺
143.pn junction n：pn结
144.pocked bead n：麻点，在20X下观察到吸附在低压表面水珠
145.polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向术语
146.polycide n：多晶硅/金属硅化物，处理高阻复合栅结构
147.polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）硅，能导电。

148.polymorphism n：多态现象，多晶形成一个化合物以最少两种不一样形态结晶现象149.prober n :探针。在集成电路电流测试中使用一个设备，用以连接圆片和检测设备。

150.process control n :过程控制。半导造过程中，对设备或产品规范控制能力。

151.proximity X-ray n :近X射线：一个光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方掩膜版，从而使对应光刻胶暴光。

152.pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。

153.quantum device n :量子设备。一个电子设备结构，其特征源于电子波动性。

154.quartz carrier n :石英舟。

155.random access memory (RAM) n :随机存放器。

156.random logic device n :随机逻辑器件。

157.rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。

158.reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。

159.reactor n :反应腔。反应进行密封隔离腔。

160.recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做每一步处理规范。

161.resist n :光刻胶。

162.scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。

163.scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。

1.Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。

165.scribe line n :划片槽。

166.sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。

167.semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间元素。

168.sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。通常见以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169.side load: 边缘载荷，被弯曲后产生应力。

170.silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅原片
171.small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案布局。

172.source code:原代码，机器代码编译者使用，输入到程序设计语言里或编码器代码。173.spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到狭长状图形。

174.spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成细丝状剩下物。

175.sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生表面除去薄膜。

176.stacking fault:堆垛层错，原子一般堆积规律背离产生2次空间错误。

177.steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其它温度热源暴光。

178.step response time:瞬态特征时间，大多数流量控制器试验中，一般改变时段到气流刚抵达特定地带那个时刻之间时间。

179.stepper: 步进光刻机（按BLOCK来曝光）
180.stress test: 应力测试，包含特定电压、温度、湿度条件。

。181.surface profile:表面轮廓，指和原片表面垂直平面轮廓（没有特指情况下）182.symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生改变弊病主观认识。

183.tack weld:间断焊，通常在角落上寻求预先有地点进行点焊（用于连接盖子）。184.Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成高膨胀物质。

185.temperature cycling:温度周期改变，测量出反复出现相类似高低温循环。

186.testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它。

187.thermal deposition:热沉积，在超出950度高温下，硅片引入化学掺杂物过程。188.thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面用于传导或绝缘一层特殊薄膜。

1.titanium(Ti): 钛。

190.toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性气味液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。

192.tungsten(W): 钨。

193.tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味气体或是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导薄膜。

194.tinning: 金属性表面覆盖焊点薄层。

195.total fixed charge density(Nth):下列是硅表面不可动电荷密度总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获电荷密度(Not)、界面负取得电荷密度(Nit)。

196.watt(W): 瓦。能量单位。

197.wafer flat: 从晶片一面直接切下去，用于表明自由载流子导电类型和晶体表面晶向，也可用于在处理和雕合过程中排列晶片。

198.wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺腔体。

199.well: 阱。

200.wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。

201.trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或在硅晶片上形成存放电容器。202.via: 通孔。使隔着电介质上下两层金属实现电连接。

203.window: 在隔离晶片中，许可上下两层实现电连接绝缘通道。

204.torr : 托。压力单位。

205.vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有蒸汽所施加压力。蒸汽压力是和物质和温度相关函数。

206.vacuum: 真空。

207.transition metals: 过渡金属
Yield良率
Parameter参数
PAC感光化合物
ASIC特殊应用集成电路
Solvent溶剂
Carbide碳
Refractive折射
Expansion膨胀
Strip湿式刻蚀法一个
TM:top mental 顶层金属层
WEE周围曝光

PSG硼硅玻璃
MFG制造部
Runcard运作卡
POD装晶舟和晶片盒子
Scratch刮伤
Reticle光罩
Sputter溅射
Spin旋转
Merge合并
A/D[军]Analog.Digital, 模拟/数字
ACMagnitude 交流幅度
ACPhase 交流相位
Accuracy精度
"ActivityModel
ActivityModel" 活动模型
AdditiveProcess 加成工艺
Adhesion附着力
Aggressor干扰源
AnalogSource 模拟源
AOI,AutomatedOptical Inspection 自动光学检验
AssemblyVariant 不一样装配版本输出
Attributes属性
AXI,AutomatedX-ray Inspection 自动X光检验
BIST,Built-inSelf Test 内建自测试
BusRoute 总线布线

Circuit电路基准
circuitdiagram 电路图
Clementine专用共形开线设计
ClusterPlacement 簇布局
CM合约制造商
CommonImpedance 共模阻抗
Concurrent并行设计
ConstantSource 恒压源
CooperPour 智能覆铜
Crosstalk串扰
CVT,ComponentVerification and Tracking 元件确定和跟踪
DCMagnitude 直流幅度
Delay延时
Delays延时
Designfor Testing 可测试性设计
Designator标识
DFC,Designfor Cost 面向成本设计
DFM,Designfor Manufacturing 面向制造过程设计
DFR,Designfor Reliability 面向可靠性设计
DFT,Designfor Test 面向测试设计
DFX,Designfor X 面向产品整个生命周期或某个步骤设计
DSM,DynamicSetup Management 动态设定管理
DynamicRoute 动态布线
EDIF,TheElectronic Design Interchange Format 电子设计交互格式EIA,ElectronicIndustries Association 电子工业协会

ElectroDynamic Check 动态电性能分析
ElectromagneticDisturbance 电磁干扰
ElectromagneticNoise 电磁噪声
EMC,ElctromagneticCompatibilt 电磁兼容
EMI,ElectromagneticInterference 电磁干扰
Emulation硬件仿真
EngineeringChange Order 原理图和PCB版图自动对应修改
Ensemble多层平面电磁场仿真
ESD静电释放
FallTime 下降时间
FalseClocking 假时钟
FEP氟化乙丙烯
FFT,FastFourier Transform 快速傅里叶变换
FloatLicense 网络浮动
FrequencyDomain 频域
GaussianDistribution 高斯分布
Globalflducial 板基准
GroundBounce 地弹反射
GUI,GraphicalUser Interface 图形用户界面
Harmonica射频微波电路仿真
HFSS三维高频结构电磁场仿真
IBIS,Input/OutputBuffer Information Specification 模型
ICAM,IntegratedComputer Aided Manufacturing 在ECCE项目里就是指制作PCBIEEE,The Institute of Electrical and Electronic Engineers国际电气和电子工程师协会IGES,InitialGraphics Exchange Specification 三维立体几何模型和工程描述标准

ImageFiducial 电路基准
Impedance阻抗
In-Circuit-Test在线测试
InitialVoltage 初始电压
InputRise Time 输入跃升时间
IPC,TheInstitute for Packaging and Interconnect 封装和互连协会IPO,InteractiveProcess Optimizaton 交互过程优化
ISO,TheInternational Standards Organization 国际标准化组织Jumper跳线
LinearDesign Suit 线性设计软件包
LocalFiducial 部分基准
manufacturing制造业
MCMs,Multi-ChipModules 多芯片组件
MDE,MaxwellDesign Environment
NonlinearDesign Suit 非线性设计软件包
ODB++Open Data Base 公开数据库
OEM原设备制造商
OLEAutomation 目标连接和嵌入
On-lineDRC 在线设计规则检验
Optimetrics优化和参数扫描
Overshoot过冲
Panelfiducial 板基准
PCBPC Board Layout Tools 电路板布局布线
PCB,PrintedCircuit Board 印制电路板
Period周期

PeriodicPulse Source 周期脉冲源
PhysicalDesign Reuse 物理设计可反复
PI,PowerIntegrity 电源完整性
Piece-Wise-linearSource 分段线性源
Preview输出预览
PulseWidth 脉冲宽度
PulsedVoltage 脉冲电压
QuiescentLine 静态线
RadialArray Placement 极坐标方法元件布局
Reflection反射
Reuse实现设计重用
RiseTime 上升时间
Rnging振荡,信号振铃
Rounding围绕振荡
RulesDriven 规则驱动设计
SaxBasic Engine 设计系统中嵌入
SDE,SerenadeDesign Environment
SDT,SchematicDesign Tools 电路原理设计工具
Setting设置
SettlingTime 建立时间
ShapeBase 以外形为基础无网格布线
Shove元器件推挤布局
SI,SignalIntegrity 信号完整性
Simulation软件仿真
Sketch草图法布线

Skew偏移
SlewRate 斜率
SPC,StaticticalProcess Control 统计过程控制
SPI,Signal-PowerIntegrity 将信号完整性和电源完整性集成于一体分析工具SPICE,SimulationProgram with Integrated Circuit Emphasis 集成电路模拟仿真程序Split/MixedLayer 多电源/地线自动分隔
SSO同时交换
STEP,Standardfor the Exchange of Product Model Data
Symphony系统仿真
Timedomain 时域
TimestepSetting 步进时间设置
UHDL,VHSICHardware Description Language 硬件描述语言
Undershoot下冲
UniformDistribution 均匀分布
Variant派生
VIA-VendorIntegration Alliance 程序框架联盟
Victim被干扰对象
VirtualSystem Prototype 虚拟系统原型
VST,Verficationand Simulation Tools 验证和仿真工具
Wizard智能建库工具,向导
2.专业术语
术语英文意义汉字解释
LCDLiquid Crystal Display 液晶显示
LCMLiquid Crystal Module 液晶模块
TNTwisted Nematic 扭曲向列。液晶分子扭曲取向偏转90度

STNSuper Twisted Nematic 超级扭曲向列。约180～270度扭曲向列
FSTNFormulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭曲向列。一层光程赔偿偏甲于STN，用于单色显示
TFTThin Film Transistor 薄膜晶体管
Backlight- 背光
Inverter- 逆变器
OSDOn Screen Display 在屏上显示
DVIDigital Visual Interface （VGA）数字接口
STransition Minimized Differential Singnaling
LVDSLow Voltage Differential Signaling 低压差分信号
Panelink-
ICIntegrate Circuit 集成电路
TCPTape Carrier Package 柔性线路板
COBChip On Board 经过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上
COFChip On FPC 将IC固定于柔性线路板上
COGChip On Glass 将芯偏固定于玻璃上
Duty- 占空比，高出点亮阀值电压部分在一个周期中所占比率
LEDLight Emitting Diode 发光二极管
ELElextro Luminescence 电致发光。EL层由高分子量薄片组成
CCFL(CCFT)Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光灯
PDPPlasma Display Panel 等离子显示器
CRTCathode Radial Tude 阴极射线管
VGAVideo Graphic Anay 视频图形陈列
PCBPrinted Circuit Board 印刷电路板
Compositevideo - 复合视频

componentvideo - 分量视频
S-video- S端子，和复合视频信号比，将对比和颜色分离传输
NTSCNational Television Systems Committee NTSC制式。全国电视系统委员会制式PhaseAlrernating Line PAL制式（逐行倒相制式）
SEquentialCouleur Avec Memoire SECAM制式（次序和存放彩色电视系统）VideoOn Demand 视频点播
DPIDot Per Inch 点每英寸
3.A.M.U 原子质量数
4.ADI After develop inspection显影后检视
5.AEI 蚀科后检验
6.Alignment 排成一直线，对平
7.Alloy 融合：电压和电流成线性关系，降低接触阻值
8.ARC：anti-reflectcoating 防反射层
9.ASHER: 一个干法刻蚀方法
10.ASI 光阻去除后检验
11.Backside 晶片后面
12.Backside Etch 后面蚀刻
13.Beam-Current 电子束电流
14.BPSG: 含有硼磷硅玻璃
15.Break 中止，stepper机台内中途停止键
16.Cassette 装晶片晶舟
17.CD：criticaldimension 关键性尺寸
18.Chamber 反应室
19.Chart 图表
20.Child lot 子批

21.Chip (die) 晶粒
22.CMP 化学机械研磨
23.Coater 光阻覆盖（机台）
24.Coating 涂布，光阻覆盖
25.Contact Hole 接触窗
26.Control Wafer 控片
27.Critical layer 关键层
28.CVD 化学气相淀积
29.Cycle time 生产周期
30.Defect 缺点
31.DEP: deposit 淀积
32.Descum 预处理
33.Developer 显影液；显影（机台）
34.Development 显影
35.DG: dual gate 双门
36.DI water 去离子水
37.Diffusion 扩散
38.Doping 掺杂
39.Dose 剂量
40.Downgrade 降级
41.DRC: design rule check 设计规则检验
42.Dry Clean 干洗
43.Due date 交期
44.Dummy wafer 挡片
45.E/R: etch rate 蚀刻速率

46.EE 设备工程师
47.End Point 蚀刻终点
48.ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
49.ET: etch 蚀刻
50.Exhaust 排气（将管路中空气排除）
51.Exposure 曝光
52.FAB 工厂
53.FIB: focused ion beam 聚焦离子束
54.Field Oxide 场氧化层
55.Flatness 平坦度
56.Focus 焦距
57.Foundry 代工
58.FSG: 含有氟硅玻璃
59.Furnace 炉管
60.GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性
61.H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤晶片，将涂上一层增加光阻和晶片表面附着力化合物，称H.M.D.S
62.HCI: hot carrier injection 热载流子注入
63.HDP：highdensity plasma 高密度等离子体
.High-Voltage 高压
65.Hot bake 烘烤
66.ID 识别，判定
67.Implant 植入
68.Layer 层次
69.LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏

70.Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污71.LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
72.Loop 巡路
73.Lot 批
74.Mask (reticle) 光罩
75.Merge 合并
76.Metal Via 金属接触窗
77.MFG 制造部
78.Mid-Current 中电流
79.Module 部门
80.NIT: Si3N4 氮化硅
81.Non-critical 非关键
82.NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
83.NW: n-doped well N阱
84.OD: oxide definition 定义氧化层
85.OM: optic microscope 光学显微镜
86.OOC 超出控制界线
87.OOS 超出规格界线
88.Over Etch 过蚀刻
.Over flow 溢出
90.Overlay 测量前层和本层之间曝光正确度
91.OX: SiO2 二氧化硅
92.P.R. Photo resisit 光阻
93.P1: poly 多晶硅
94.PA; passivation 钝化层

95.Parent lot 母批
96.Particle 含尘量/微尘粒子
97.PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师2、等离子体增强98.PH: photo 黄光或微影
99.Pilot 试验
100.Plasma 电浆
101.Pod 装晶舟和晶片盒子
102.Polymer 聚合物
103.POR Process of record
104.PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂
105.PR: photo resist 光阻
106.PVD 物理气相淀积
107.PW: p-doped well P阱
108.Queue time 等候时间
109.R/C: runcard 运作卡
110.Recipe 程式
111.Release 放行
112.Resistance 电阻
113.Reticle 光罩
114.RF 射频
115.RM: remove. 消除
116.Rotation 旋转
117.RTA: rapid thermal anneal 快速热退火
118.RTP: rapid thermal process 快速热处理
119.SA: salicide 硅化金属

120.SAB: salicide block 硅化金属阻止区
121.SAC: sacrifice layer 牺牲层
122.Scratch 刮伤
123.Selectivity 选择比
124.SEM：scanningelectron microscope 扫描式电子显微镜
125.Slot 槽位
126.Source-Head 离子源
127.SPC 制程统计管制
128.Spin 旋转
129.Spin Dry 旋干
130.Sputter 溅射
131.SRO: Si rich oxide 富氧硅
132.Stocker 仓储
133.Stress 内应力
134.STRIP: 一个湿法刻蚀方法
135.TEOS –(CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD/PECVD生长SiO2原料。又指用TEOS生长得到SiO2层。

136.Ti 钛
137.TiN 氮化钛
138.TM: top metal 顶层金属层
139.TOR Tool of record
140.Under Etch 蚀刻不足
141.USG: undoped 硅玻璃
142.W (Tungsten) 钨
143.WEE 周围曝光

144.mainframe 主机
145.cassette 晶片盒
146.amplifier 放大器
147.enclosure 外壳
148.wrench 扳手
149.swagelok 接头锁紧螺母
150.clamp 夹子
151.actuator激励
152.STI shallow trench isolantion 浅沟道隔离层
153.SAB 硅铝块
154.UBM球下金属层镀模工艺
155.RDL金属连线重排工艺
156.RIE reactinv ion etch 反应离子etch
157.ICP inductive couple plasma 感应等离子体
158.TFT thin film transistor 薄模晶体管
159.ALD atomic layer deposition 原子层淀积
160.BGA ball grid array 高脚封装
161.AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱162.AFM atomic force microscopy 原子力显微
163.ASIC 特定用途集成电路
1.ATE 自动检测设备
165.SIP self-ionized plasma 自电离电浆
166.IGBT 绝缘门双极晶体管
167.PMD premetal dielectric 电容
168.TCU temperature control unit 温度控制设备