第28卷第1期
中国材料进展v。1.28N。.11月MATERIALSCHINA Jan.
半导体信息功效材料和器件研究新进展
王占国
(中国科学院半导体研究所半导体材料科学关键试验室,北京100083
摘要:首先简明地介绍了作为现代信息社会基础半导体材料和器件极其关键地位,进而同顾了多年来半导体光电信息功效材料,包含半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等研究进展,最终对半导体信息功效材料发展趋势做了评述。
关键词:半导体微电子;光电子材料;宽带隙半导体材料;自旋电子材料;有机光电子材料
中图法分类号:TN304:TB34文件标识码:A文章编号:1674—3962(Ol-0026一05
RecentProgress of Semiconductor Information
FunctionalMaterials
WANGZhanguo
(InstituteofSemiconductors,Chinese Academy ofSciences,Beijing100083,ChinaAbstract:The extreme importance of semiconductor materials anddevices as a foundation of the modern informational society jsbriefly introduced first in this paper,Then the recent progress ofsemiconductor microelectronic and optoeleetron・iCmateriMs
includingsilicon,GaAs and InP crystals and itS mierostructures,wide band gap
semiconductorsmaterials, spintronic materisis and organic semiconductoroptoelectronic materials as well for national inside and outside arereviewed respectively.Finally developmentai trend of semiconductorinformation functional materials are summarized.
Keywords:semiconductormicroelectronic materials;optoelectronic materials;wide band gapmaterials;spintronic materials;organic semiconductor optoelectronicmaterials
历史发展表明,半导体信息功效材料和器件是信息科学技术发展物质基础和先导。晶体管发明、硅单晶材料和硅集成电路(ICs研制成功,造成了电子工业大;光导纤维材料和以砷化镓为基础半导体激光器发明,超晶格、量子阱微结构材料和高速器件研制成功,使人类进入到光纤通信、移动通信和高速、宽带信息网络时代。纳米科学技术发展和应用,极有可能触发新技术,必将根当地改变人类生产和生活方法。信息技术包含到信息获取、发射、传输、接收、存放、显示和处理等方方面面,本文关键介绍半导体信息功效材料和器件研究进展。
1半导体信息功效材料和器件研究现实状况¨’4J
1.1半导体硅材料和集成电路
硅是目前微电子技术基础材料,估计到本世纪中
收稿日期:—12—18
基金项目:国家关键基础研究发展计划资助(CB6049一04
作者介绍:王占国,男,1938年生,中国科学院院士叶全部不会改变。从提升硅ICs成品率、性能和降低成原来看,增大直拉硅单晶直径,处理硅片直径增大造成缺点密
度增加和均匀性变差等问题,仍是以后硅单晶发展大趋势。估计由8英寸向12英寸过渡硅ICs工艺将在多年内完成,到后,12英寸硅片将成为主流产品;伴随极大规模硅ICs向更小线宽发展,是否需要研制更大直径硅单晶材料,虽存争议,但更大直径硅单晶(如18英寸等研制也在计划中。从深入缩小器件特征尺寸,提升硅ICs速度和集成度看,研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需大直径硅外延片将会成为硅材料发展另一个关键方向。
依据“国际半导体技术发展路线图”估计,集成电路特征线宽,将进入32纳米技术代,晶体管物理栅长将是13nm,并于进入到22纳米技术代,晶体管物理栅长将是9nln;到2022年,那时晶体管物理栅长将是4.5nln。这时硅CMOS
技术将靠近或达成它“极限”,摩尔定律将受到物理(短沟场效应、绝缘氧化物量子隧穿效应、沟道掺杂原子统计涨落、功耗等、技术(寄生电阻和电容、互连
万方数据
第1期王占国:半导体信息功效材料和器件研究新进展
延迟、光刻技术等和经济三方面(制造成本昂贵挑战。为克服上述器件物理和互连技术,大家首先正在开发诸如高K栅介质、金属栅、双栅/多栅器件、应变沟道和高迁移率材料、铜互连技术(扩散阻挡层、低介电常数材料、多壁纳米碳管通孔和三维铜互连等;其次,在电路设计和制造方面,采取硅基微/纳器件混合电路、光电混合集成和系统集成芯片(SOC技术等,来深入提升硅ICs速度和功效。然而,即使采取上述方法能够延长摩尔定律寿命,但硅微电子技术最终难以满足人类对信息量需求日益增加。为此,大家正在主动探索基于全新原理材料、器件和电路技术。如基于量子力学效应纳米电子(光电子技术、量子信息技术、光计算技术和分子电子学技术等。
“十五”以来,中国极大规模集成电路关键制造装备(8英寸注入机和刻蚀机等取得突破,光刻机也有长足进步;以中芯国际有限责任企业等为代表8,12英寸晶圆代工大型企业成功建设,已将中国极大规模集成电路制造水平提升到90一65nil]水平,大大缩短了和国际水平差距,估计在左右,可实现和国际同时发展。即使中国多晶硅材料产业在过去几年里取得了很大进步,但多为6个…9’纯度太阳能级多晶硅,而电子级多晶硅材料几乎全部依靠进口,严重制约中国集成电路产业发展。中国硅单晶材料以5,6英寸为主,其生产能力已达3400t以上,8,12英寸硅单晶及抛光片,虽已含有小批量生产能力,但还未应用于集成电路制造。硅外延材料产品关键是4和5英寸,6英寸外延片还未实现量产,8,12英寸硅外延片尚处起步阶段。8,12英寸硅抛光片和外延片绝大部分依靠进口。中国S01(关键是SIMOX圆片技术研发虽有一定基础,但在8英寸以上S01圆片制造方面仍是空白。在SiGe异质结外延材料生长和SiGe—
HBT等器件和电路研发技术水平,尤其是生产水平和国外差距很大。
1.2硅基异质结构材料
硅基光、电器件集成一直是大家所追求目标。但因为硅是问接带隙,怎样提升硅基材料发光效率就成为一个亟待处理问题。英国科研人员将硼离子注入到硅中,在硅中引入位错环。位错环形成局域场调制硅能带结构,使荷电载流子空间受限,从而使硅发光二极管器件量子效率提升到0.1%。意大利研究人员将稀土金属离子,如铒、铈等,注入到包含有直径为l~2nm硅纳米晶富硅二氧化硅中,因为量子受限效应,抑制了非辐射复合过程发生,发明了外量子效率高达10%硅基发光管世界纪录。然而至今未见该方面迸一步研究结果汇报。
尽管GaAs/Si和lnP/Si是实现光电子混合集成理想材料体系,但因为晶格失配和热膨胀系数等不一样造成高密度失配位错而造成器件性能退化和失效,使其难以实用化。Motolora声称,用钛酸锶作协变层(柔性层,在8英寸硅衬底上成功地生长了器件级GaAs外延薄膜;不过至今未见实用化报道。大失配材料体系异质外延生长仍是需要处理难题。哈佛大学研究人员研制成功硅基N—CdS/P—
si纳米线电注入激光器,使大家看到了硅基光电集成曙光。6月Intel研制成功硅基混合锁模激光器,它是由InP和硅片组成,二者经过等离子体工艺键合在一起。光发射来自InP,硅片作为波导,起着对光反射和放大而产生激光发射作用;激光脉冲4ps,反复频率40GHz,信号由一根光纤输出,可用于PC机、服务器和数据中心等。多年来采取热压法,将GaAs和InP为代表Ⅲ一V族材料经过范德瓦力无损伤地和硅片键合在一起,从而使硅基光电混合集成方案取得了进展,但集成效果还有待评定。硅基有机/无机复合发光材料和器件研究多年来取得了进展,外量子效率达成20%。
1.3Ⅲ一V族化合物半导体材料
和硅相比,Ⅲ一V族化合物材料以其优异光电性质在高速、大功率、低功耗、低噪音器件、电路、光纤通信、激光光源、太阳能电池和显示等方面得到了广泛应用。GaAs,ImP和GaN及其微结构材料是现在最关键、应用最广泛Ⅲ一V族化合物半导体材料。
1.3.1GaAs和InP单晶材料
GaAs和InP单晶发展趋势是增大晶体直径,提升电学和光学微区均匀性,降低缺点密度和成本。现在,直径为6英寸SI—
GaAs和4英寸InP已用于集成电路制造,但受到硅基GeSi和GaN基材挑战,发展速度有
所减缓。位错密度低GaAs和InP单晶垂直梯度凝固生长技术发展很快,很有可能成为单晶生长主流技术。中国在砷化镓单晶研发方面有很好基础,进入2l世纪后,产业有了较大发展,已拉制出6英寸大直径砷化镓,形成了年产万片级以上多条砷化镓单晶片抛光生产线和多条4英寸GaAs集成电路生产线。3—
4英寸InP单晶研制也取得了关键进展。
1.3.2GaAs和InP基超晶格、量子阱材料
以GaAs和InP为基晶格匹配和应变赔偿超晶格、量子阱材料已发展得相当成熟,并成功地用来制造超高速、超高频微电子器件和单片集成电路。现在,
InP基双异质结晶体管(HBT和高电子迁移率晶体管(HEMT最高频率全部已进入太赫兹;GaAs基微波
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单片集成电路(MMIC已从军用高端产品发展到民用产品,市场规模已达30亿美元;4500门HBT集成电路业已研制成功。中国在InP基HEMT和HBT高频器件研究方面也取得可喜成绩,已研制出截止频率大于200GHzImP基HEMT和HBT器件,可基础满足W波段电路需求。基于上述材料体系光通信用1.3
p,m和1.5斗m量子阱激光器和探测器,红、黄、橙发光二极管和红光激光器和大功率半导体量子阱激光器泵源已商品化;表面光发射器件已达成或靠近达成实用化水平。
现在,研制可工作在40Gbs/s以上1.5
p,m分布反馈(DFB激光器和电吸收(EA调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需低维结构材料是处理光纤通信瓶颈问题关键之一。另外,研制准连续兆
瓦级大功率激光阵列用高质量量子阱材料也因其含有极关键应用背景受到高度重视。
自从1994年美国贝尔试验室发明了基于量子阱子带跃迁和阱间共振隧穿量子级联激光器(QCLs以来,
QCLs在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显著进展。现在,量子级联激光器工作波长已覆盖近红外到中、远红外波段(3.4—
145mm。中国在应变赔偿、短腔长和光子晶体等量子级联激光器研制方面也取得了优异成绩,并已成为能研制这类高质量激光器材料和器件为数不多多个国家之一。采取量子级联激光器结构来实现THz波段激射是一个更为前沿研究领域,现已取得关键进展。
1.3.3一维量子线、零维量子点材料
现在半导体量子线、量子点材料生长和制备关键集中在多个比较成熟材料体系上,如GaAs,InP基In
(GaAs量子线和量子点,GeSi/Si量子点等,并在量子点发光器件、量子线场效应晶体管和单电子晶体管、存贮器研制方面,尤其是量子点激光器研制等方面取得了重大进展。小功率量子点激光器阈值电流密度(几已降低到16A/cm2,已远低于量子阱激光器几,并已进入实用化研发阶段。中科院半导体所在大功率长寿命量子点激光器、红光量子点激光器和量子点超辐射发光管等研制方面取得了国际优异水平结果。
基于量子点单电子晶体管、量子点原胞自动机、单光子光源等新型器件原型已研制成功,为其在量子计算、量子通信等量子信息技术方面应用打下了基础。应变自组装量子点很轻易被嵌入到适宜微腔中,能够实现定向、高效发射,甚至纠缠双光子
发射,在研制单光子光源方面含有优势。寻求原子级无损伤加工方法和应变自组装可控生长技术,取得无缺点、空间高度有序和大小、形状均匀,密度可控量子线和量子点材料是发展大趋势。
1.4宽带隙半导体材料
。宽带隙半导体材料是指禁带宽度大于2.7eV半导体材料,如III族氮化物、碳化硅、氧化锌(ZnO和金刚石等,尤其是GaN,SiC和金刚石薄膜等,因含有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点,成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路理想材料;在通信、汽车、航空、航天、石油开采和国防等方面有着广泛应用前景。另外,IIl族氮化物、ZnO基材料等也是优良光电子材料,在短波长发光器件、太阳能光伏电池和紫外探测器等应用方面显示了广泛应用前景。
1.4.1GaN基异质外延材料
现在,GaN基蓝、绿LED已实现规模生产,年销售额已达数十亿美元。多年来,功率达瓦级(最大为5WGaN基蓝、紫光发光二极管研制成功,使大家看到了固态白光照明诱人前景;12月NichiaGaN基白光LED试验室流明效率已高达150lm/W;7月Cree企业已开发出流明效率为131lm/W白光LED;Lumileds企业在1月也研制成功了GaN基115lIn/W功率型白光LED。
CaN基激光器研制也取得了进展,工作波长在400一450nm之间,最大室温连续输出光功率已超出O.5w。GaN基高温、高功率、高频电子器件研制取得了重大进展,GaN基F'ET(功率场效应管最高工作频率(丘。已达140GHz,弄=67GHz∽截止频率,跨导为260mS/mm。GaN基高频器件工作电流坍毁曾成为器件应用瓶颈,美国CREE企业
经过在器件栅极外加1.1p,m场片技术,基础上克服了上述问题,研制出GaN
HEMT功率密度已达33W/ram,P^E=54.8%,外加两层场片器件达40W/nun,P。。=60%;她们还指出采取F类放大可制造P.。高达95%以上微波器件,显示了美好潜在应用前景。Fujitsu研制出GaNHEMT放大器输出功率达174W,电压为63V。
●
以GaN为代表Ⅲ族氮化物因为缺乏同质衬底材料成为制约Ⅲ族氮化物应用一个瓶颈问题。现在处理措施有三,一是制备块状GaN晶体;二是发展自支撑GaN衬底技术。三是发展柔性衬底技术。经过多年努力,2英寸自支撑GaN衬底制备已取得突破,并已经有商品出售,但因为价格昂贵等原因,至今还未被广泛采取。最近得悉日本科学家利用“氨热法”,在研制大尺寸GaN体单晶方面取得了突破进展。TDI(国际技术器件企业在4英寸SiC衬底上生长出无裂纹
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A1N单晶薄膜。AIN和自支撑GaN衬底和GaN体单晶研制成功,将对GaN基激光器和高温微电子器件和电路研制将起到关键推进作用。
另外,美国加州大学圣巴巴拉分校、日本科学和技术代理处合作在非极性和半极性面生长GaN基LED
(300×300mill2发光效率分别为4l%和30%,注入电流为20mA时,CW输出分别为25mW和18mW。她们在非极性和半极性蓝宝石面上制备GaN基LED取得重大进展,研制成功高达192lm/WLED,为提升GaN基LED发光效率开辟了一个新路径,受到大家关注。
Ⅲ族氮化物含有很强压电效应,利用这种效应开展压电诱导能带工程研究和构建新型器件,是一个有待开展关键研究方向。
1.4.2碳化硅(SiC和氧化锌(ZnO材料
现在,以Cree企业为代表体SiC单晶研制业已取得突破性进展,2英寸4H和6HSiC单晶和外延片,和3英寸4H—SiC单晶已经有商品出售;以SiC
为GaN基材衬底蓝绿光LED业已上市,参与以蓝宝石为衬底GaN基发光器件竞争。现在存在关键问题是材料中缺点密度较高,价格昂贵。为满足SiC
相关高温、高功率电子器件研制需求,将微管道(MP密度降低到小于0.5MP/cm2,将电子迁移率提升到100em2/V・s以上是很必需。
ZnO和其它宽带隙半导体材料相比。含有高激子束缚能(60meV,极好抗辐照性能,低外延生长温度和大尺寸衬底材料等部分独特优点,有望用于uV发光二极管和低阈值激光器、uV探测器和生物传感器和抗辐照太空探测器等新型ZnO基光电器件研制,受到中国外广泛关注。ZnO基材和器件应用存在关键问题是高质量单品薄膜制备,尤其是稳定、高浓度P型掺杂困难。经过多年探索研究,现在,大家在对ZnOP型掺杂机理有了比较深入了解基础上,已能取得稳定、空穴浓度为101。7/cm3P型ZnO
薄膜材料,结合MgznO和BeZnO等三元合金制备取得进展,现已实现了室温ZnO基LED蓝、紫色发光,并观察到来自ZnO/BeZnO和ZnO/MgZnO异质结构或量子阱结构激射输出。中国在ZnOP型掺杂研究,高Mg组分Mgzn0合金、ZnO/ZnMgO多量子阱异质结LED制备等方面也做出了国际优异水平结果。大尺寸ZnO体单晶研制虽已取得很大进展,但晶体质量,尤其是晶体完整性尚须深入提升;另外,高昂价格也是阻碍其广泛应用关键原因之一。
从整体来看,ZnO基材料和器件研究虽有进展,但尚无重大突破。高质量ZnO衬底材料和高质量ZnO单晶薄膜制备和和其晶格匹配合金势垒层材料(如BeZnO和BeZnO制备等是ZnO基器件走向应用之前必需要处理问题;真正实用ZnO基光电器件研制任重道远。
1.4.3单晶金刚石薄膜
理论上金刚石薄膜含有比其它宽带隙半导体更为优越性能,是发展高温、大功率、高频电子器件最理想材料。然而,长久以来大面积单晶金刚石薄膜制备和N一型掺杂难题未能突破,致使它器件应用举步不前。多年来该领域研究有了长足进步,继Koizumi等研制成功金刚石紫外PN结发光管后,,Isberg等在瑞典乌布萨拉大学,利用微波等离子体辅助CVD技术,研制成功了高质量单晶金刚石薄膜。半导体金刚石单晶薄膜研究即使已取得进展,如法国、以色列和美国科学家在同质外延掺硼P型金刚石薄膜上,采取氘等离子体生长技术和后退火工艺,成功制备出N型高电导率金刚石薄膜(室温电子浓度7×1016/cm3,电导率约2(ftcm~,迁移率180cm2/Vs,为高温、高频和大功率半导体金刚石器件研制打下了基础。9月,日本电报和电话企业(NTr嘉数诚小组和德国Ulm大学合作,研制成功最高工作频率为81GHz毫米波金刚石器件,打破了金刚石器件国际统计。在优化器件工艺下,她们有期望将输出功率提升到30W/ram。,嘉数诚等又在英国Element
Six企业提供4英寸多晶金刚石上制作了氢表面沟道FET,取得了更优异性能,漏电流密度达成550mA/mm,电流增益截止频率为45GHz,功率增益最大频率为120GHz,频率为1GHz时输出功率密度达成2.1W/ram。Ulm
大学Kohn小组制备肖特基二极管在300℃下仍维持109整流比,而且在1000℃时(真空中仍含有整流性能,且器件反向击穿电场达2.5MV/cm。日本研究人员利用500nm左
右单晶金刚石同质外延薄膜,研制了深紫外光响应度大于l
A/W,深紫外/太阳光抑制比达8个量级深紫外探测器,并首次实现了金刚石对火焰探测。
总而言之,大面积单晶金刚石薄膜生长和N型掺杂仍是研究人员长久奋斗目标,伴随研究不停深入,尤其是新概念器件提出,相信很快未来,金刚石有望在功率器件和深紫外探测器件等方面得到实际应用。
1.5半导体自旋电子学材料和器件
电子自旋,如同它电荷一样,是电子另一个固有属性。探索载流子自旋运动规律,实现对其操纵、调控及其应用科学称之为自旋电子学(Spintron.
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its。含有铁磁性材料半导体要实现自旋极化电子输运,关键在于自旋有效注入、传输和探测。自旋极化电子注入到半导体中,并被人为操控,能够制成新型自旋电子器件,用于数据存放和运算是该领域研究所追求目标。因为在In。Mn,As和Ca。Mn,As磁性半导体中发觉了低温铁磁性,尤其是在Til.,
Co.02,GaI一,Mn。N,GaI一;Cr,N,TiI一;Co。02,ZnI.,
Co。O,ZnCrTe等磁性半导体中发觉了居里点高于室温铁磁性,引发了磁性半导体材料研究热潮,然而因为对磁性起源不明,研究进展缓慢。现在关键集中在对铁磁/半导体异质结界面能带结构、自旋电子在异质结界面散射、自旋注入、自旋电子在半导体中输运和对注入自旋电子探测和新型自旋电子器件设计等方面。自旋相关器件研发
尚处于探索阶段。多年来,因为空间对称破缺(晶格或人T微结构空间反演不对称引发Rashba自旋轨道耦合和逆自旋霍尔效应造成涡旋电荷流研究受到关注,研究结果有可能为相关自旋器件研制发明条件。
1.6有机光电子材料
有机发光材料以其低廉成本和良好柔性,在有机发光二极管显示器件(OLED/PLED,在白光照明,
OTFET器件、驱动及微电子技术,有机太阳能光伏电池,有机光电传感和有机激光等方面含相关键应用前景,而受到广泛重视。有机半导体发光材料是有机光电功效器件关键。多年来有机半导体发光材料发光效率及寿命已经有了很大提升,并在手机和MP3显示器等方面得到实际应用。Sony企业11英寸有机OLED电视机已在市场上出售,27英寸有机OLED电视机已经有展品。只要成本深入降低,可望很快推向市场。多年来,有机白光照明也取得了关键进展,有机发光管发光效率已达成100lm/W水平,距离应用目标1
lm/W更近了一步。有机太阳能光伏电池是现在国际上研究另一个热点,光电转换效率已达6%,并有较大提升空间。中国OLED、太阳能光伏电池技术研究和开发和国际上基础同时,在过去几年里,中国在有机发光机理研究、材料开发、器件结构设计和生产工艺等方面取得了一批含有自主知识产权研究结果,部分结果已达成国际优异水平。
2半导体信息功效材料发展趋势
伴随信息载体从电子向光电子和光子转换步伐加紧,半导体光电信息功效材料也已由体材料发展到薄层、超薄层微结构材料,并正向集材料、器件、电路为一体功
效系统集成芯片材料和纳米结构材料方向发展。材料生长制备控制精度也将向单原子、单分子尺度发展。从材料体系上看,除硅和硅基材料作为现代微电子技术基础在2l世纪中叶不会改变外,化合物半导体微结构材料以其优异光电性质在高速、低功耗、低噪音器件和电路,尤其是光电子器件、光电集成和光子集成等方面发挥着越来越关键作用;和此同时,多年来硅和GaAs,InP等Ⅲ一V族化合物混合集成技术取得重大进展,使大家看到了硅基混合光电集成曙光。有机半导体发光材料以其低廉成本和良好柔性,已成为全色高亮度发光材料研发另一个关键发展方向,估计会在新一代乎板显示材料中占有一席之地。GaN基紫、蓝、绿异质结构发光材料和器件研制成功,不仅将使光存放密度成倍增加,而更关键是它将会引发照明光源,经济效益巨大。航空、航天和国防建设要求推进了宽带隙、高温微电子材料和中远红外激光材料发展。探索低维结构材料量子效应及其在未来纳米电子学和纳米光子学方面应用,尤其是基于单光子光源量子通信技术,基于固态量子比特量子计算和无机/有机/生命体复合功效结构材料和器件发展应用,已成为材料科学现在最活跃研究领域,并极有可能触发新技术,从而根本改变人类生产和生活方法。另外,从半导体异质结构材料生长制备技术发展角度看,已由晶格匹配、小失配材料体系向应变赔偿和大失配异质结构材料体系发展。怎样避免和消除大失配异质结构材料体系在界面处存在大量位错和缺点,是现在材料制备中迫切要处理关键问题之一,它处理将为材料科学工作者提供一个宽广创新空间。
参考文件Referenc,es
[1]WangZhanguo(王占国.信息功效材料研究现实状况和发展趋
势[J].ChemicalIndustry删EngineeringProgress(化工进展,,23(2:3—12.
[2]WangZhanguo(王占国.硅微电子技术物理极限对策探讨
[J].Bulletinofthe Chinese Academy of s画∞∞(中国科学院院刊,,22(6:480—485.
[3]WangZhanguo(王占国.Hg,h—Techno/og/eJ脚。墙:
NewProgre∞011Semiconductor Materials and Devices Technologies
(200s高技术发展汇报:半导体材料和器件技术新进展,中国科学院[M].Beijing:SciencePress,,36—42.
【4]YeZhizhen(叶志镇,LiuXinyu(刘新宇,Shaogai(邵凯,
da/.Proceedings of F酗Chines
eSymposium on Compounds Semi-
conduetorMaterials,Microwave Devices and Photoelectric Devices
(第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集[c].Cuangzhou:The Editorical Committee Df This Symposium,:8,20。24。28,224.
万方数据
半导体信息功效材料和器件研究新进展作者:作者单位:刊名:英文刊名:年,卷(期:引用次数:王占国,WANG Zhanguo
中国科学院半导体研究所,半导体材料科学关键试验室,北京,100083中国材料进展MATERIALSCHINA ,28(1 0次参考文件(4条1.王占国
信息功效材料研究现实状况和发展趋势[期刊论文]-化工进展(022.王占国硅微电子技术物理极限对策探讨[期刊论文]-中国科学院院刊(063.王占国高技术发展汇报:半导体材料和器件技术新进展 4.叶志镇.刘新宇.邵凯查看详情
相同文件(1条1.期刊论文高附加值产品助推信息产业发展-中国新技术新产品,""(7电子信息材料是指在微电子,光电子技术和新型元器件基础产品领域中所用材料,关键包含单晶硅为代表半导体微电子材料;激光晶体为代表
光电子材料;介质陶瓷和热敏陶瓷为代表电子陶瓷材料;钕铁硼永磁材料为代表磁性材料;光纤通信材料;磁存放和光盘存放为主数据存放材料;压电
晶体和薄膜材料;贮氢材料和锂离子嵌入材料为代表绿色电池材料等.
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